Vishay Si4948BEY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / -2.4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Transistor, der für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz auf kompakten Boards vorgesehen, bei denen ein SOIC-Gehäuse und eine moderate Leistungsaufnahme erforderlich sind. Das Gerät eignet sich für Ingenieure, die eine P-Kanal-Option mit spezifischer Gate-Ladung und thermischen Grenzwerten für das Design auf Schaltungsebene benötigen.

• P-Kanal-Gerät unterstützt negative Drain-Source-Spannung für High-Side-Schaltung • Nenndrain-Quellenspannung von -60 V ermöglicht Anwendungen mit erhöhter Spannung • Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -2,4 A ermöglicht eine moderate Lasthandhabung • Niedriger Einschaltwiderstand von 0,15 Ω reduziert Leitungsverluste • Typische Gate-Ladung von 14,5 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Verlustleistung 1,4 W für die Steuerung des Wärmebudgets in engen Layouts

• Geeignet für High-Side-Schalter in Motorsteuerungsmodulen • Ideal für Lasttrennungen in Stromverwaltungsschaltungen • Wird für den Verpolungsschutz in Versorgungsschienen verwendet • Kann für Batteriemanagement und Ladekontrolle verwendet werden • Geeignet für SMD-Baugruppen, die kompakte P-Kanal-Transistoren erfordern

Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Er ist für den Betrieb bis maximal 175 °C spezifiziert, sodass Entwickler die Reduzierung von Strom und Leistung mit Temperaturanstieg berücksichtigen sollten.

Die Komponente wird in einem SOIC‐8-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, das für Standard-SMD-Footprint-Designs geeignet ist.

Die Komponente entspricht der RoHS 2002/95/EC und entspricht den Materialspezifikationen der IEC 61249‐2‐21.

ist eine Durchlassspannung von -1,2 V für das eigensichere Leitungsverhalten der Diode angegeben.