Vishay N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 1,7 A IPAK (TO-251)

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der DPAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötetechniken entwickelt. Die gerade Kabelversion (IRFU, Serie SiHFU) ist für Durchgangsbohrungsmontageanwendungen vorgesehen. Leistungsableitungsstufen von bis zu 1,5 W sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.

Dynamische dV/dt-Nennleistung
Wiederholbare Lawinenbeständigkeit
Erhältlich als Band und Rolle
Schnelles Schalten
Vollständig lawinenbeständig