Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 7.7 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
256-7306
Herst. Teile-Nr.:
IRFR120PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der DPAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötetechniken entwickelt. Die gerade Kabelversion (IRFU, Serie SiHFU) ist für Durchgangsbohrungsmontageanwendungen vorgesehen. Leistungsableitungsstufen von bis zu 1,5 W sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Erhältlich als Band und Rolle

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

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