Vishay P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A DPAK (TO-252)

Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay Semiconductor verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das Power Mosfets bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2PAK ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann.

Erweiterte Prozesstechnologie
Oberflächenmontage
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
P-Kanal
Vollständig lawinenbeständig