Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 19 A 88 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
256-7281
Herst. Teile-Nr.:
IRF9Z34SPBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay Semiconductor verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das Power Mosfets bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2PAK ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann.

Erweiterte Prozesstechnologie

Oberflächenmontage

175 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

P-Kanal

Vollständig lawinenbeständig

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