DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8597
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
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- DMN2009UCA4-7
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1717-4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1717-4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.37W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
ESD-Schutz des Gates mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei