DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2838
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061LCA3-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 6,35
(ohne MwSt.)
€ 7,625
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | € 0,254 | € 6,35 |
| 500 - 975 | € 0,191 | € 4,78 |
| 1000 - 2475 | € 0,187 | € 4,68 |
| 2500 - 4975 | € 0,182 | € 4,55 |
| 5000 + | € 0,177 | € 4,43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2838
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061LCA3-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.88W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 0.64mm | |
| Höhe | 0.22mm | |
| Breite | 1.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.88W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 0.64mm | ||
Höhe 0.22mm | ||
Breite 1.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Abmessungen in tragbaren und mobilen Anwendungen zu minimieren. Er kann verwendet werden, um viele kleine Signale MOSFET mit wirklich geringem Platzbedarf zu ersetzen.
Niedrige Qg und Qgd
Geringer Platzbedarf
Flache 0,20 mm Höhe
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform