DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2838
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061LCA3-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 6,35
(ohne MwSt.)
€ 7,63
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. November 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | € 0,254 | € 6,35 |
| 500 - 975 | € 0,191 | € 4,78 |
| 1000 - 2475 | € 0,187 | € 4,68 |
| 2500 - 4975 | € 0,182 | € 4,55 |
| 5000 + | € 0,177 | € 4,43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2838
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061LCA3-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | X4-DSN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.88W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 640μm | |
| Höhe | 220μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße X4-DSN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.88W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 640μm | ||
Höhe 220μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die Abmessungen in tragbaren und mobilen Anwendungen zu minimieren. Er kann verwendet werden, um viele kleine Signale MOSFET mit wirklich geringem Platzbedarf zu ersetzen.
Niedrige Qg und Qgd
Geringer Platzbedarf
Flache 0,20 mm Höhe
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN N-Kanal 3-Pin X4-DSN
- DiodesZetex Doppelt DMN3006SCA6 N-Kanal 1 6-Pin X4-DSN
- DiodesZetex DMN N-Kanal 4-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN N-Kanal 6-Pin TSOT
- DiodesZetex DMN N-Kanal 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMN N-Kanal 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN N-Kanal 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMN N-Kanal 3-Pin SOT-23