Vishay Symmetrischer Dual-N-Kanal Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
- RS Best.-Nr.:
- 252-0298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 159A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00137Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Symmetrischer Dual-N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 159A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00137Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Symmetrischer Dual-N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
100 % Rg und UIS-geprüft
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer