STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
248-9689
Herst. Teile-Nr.:
STP65N045M9
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

UL

Breite

10.4 mm

Höhe

4.6mm

Länge

28.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativsten Super Junction MDmesh DM9-Technologie, geeignet für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS pro Fläche, gekoppelt mit einer schnellen Erholungsdiode. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Mehrfachdrain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt hat einen der niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Schnellschalt-Super-Steckverbindungs-Leistungs-MOSFETs, womit es besonders geeignet für Anwendungen ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit beste FOM RDS auf Qg unter siliziumbasierten Geräten

Höhere VDSS-Nennwerte

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

Leicht zu betreiben

100 Prozent Lawinengeprüft

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