STMicroelectronics STP N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 176 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 719-658
- Herst. Teile-Nr.:
- STP100N8F6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 15.75mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der STripFETTM F6-Technologie mit einer neuen Trunking-Gate-Struktur entwickelt. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Gate-Ladung
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringer Leistungsverlust bei Gate-Antrieb
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