STMicroelectronics STP N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 176 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
719-658
Herst. Teile-Nr.:
STP100N8F6
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

STP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.6mm

Länge

15.75mm

Breite

10.4 mm

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der STripFETTM F6-Technologie mit einer neuen Trunking-Gate-Struktur entwickelt. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Sehr niedrige Gate-Ladung

Hohe Lawinenbeständigkeit

Geringer Leistungsverlust bei Gate-Antrieb

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