Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 64 A 81 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
248-9309
Herst. Teile-Nr.:
IMBG65R022M1HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IMBG

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 650-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie und nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, ist für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen geeignet und ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit höchster Effizienz.

Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen

Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qf

Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Tj,max-175 °C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Geringerer RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur

Erhöhte Avalanche-Fähigkeit

Kompatibel mit Standardtreibern

Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste

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