DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 69.2 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8

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RS Best.-Nr.:
246-7557P
Herst. Teile-Nr.:
DMT68M8LPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0108Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 60 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate

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