DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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RS Best.-Nr.:
246-7519
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SFVW-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.7mm

Breite

2 mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 60 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektionen

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