DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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RS Best.-Nr.:
246-6813
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SFVW-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2 mm

Höhe

0.85mm

Länge

2.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 60 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektionen

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