DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung 430 mW, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
246-7518
Herst. Teile-Nr.:
DMN53D0LV-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

1.5 V

Maximale Verlustleistung Pd

430mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Doppel-N-Kanal-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet. Er bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und geringe Eingangs-/Ausgangsverluste. Das ultrakleine Gehäuse für die Oberflächenmontage ist ESD-geschützt bis 2KV.

Niedriger Ein-Widerstand. Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung. Niedrige Eingangskapazität

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