onsemi Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 280 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
166-1659
Herst. Teile-Nr.:
2N7002V
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

0.6mm

Breite

1.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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