DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 10-Pin 4-DSN3015-10

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RS Best.-Nr.:
244-1913
Herst. Teile-Nr.:
DMN12M8UCA10-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

4-DSN3015-10

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.03mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.54 mm

Höhe

0.16mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von DiodesZetex ist so konzipiert, dass er den Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beibehält, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

ESD-Schutz des Gates

Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Halogen- und antimonfreies grünes Gerät

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