Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,60

(ohne MwSt.)

€ 7,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1 600 Einheit(en) mit Versand ab 10. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,32€ 6,60
50 - 120€ 1,084€ 5,42
125 - 245€ 1,006€ 5,03
250 - 495€ 0,938€ 4,69
500 +€ 0,868€ 4,34

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-1592
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N12S3L31ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET OptiMOSTM Leistungs-MOSFET von Infineon für Kfz-Anwendungen ist ein umweltfreundliches Produkt, RoHS-konform und Automotive AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal – Verbesserungsmodus

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links