Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
244-0907
Herst. Teile-Nr.:
IPT026N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET IPT026N10N5 von Infineon im TO-Leadless (TOLL)-Gehäuse ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Mit einer Platzeinsparung von 60 % im Vergleich zum D2PAK 7-Pin-Gehäuse ist TOLL die perfekte Lösung, wenn höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzeinsparung erforderlich sind.

Ideal für Hochfrequenzschaltung und Synchronisierung

Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)Produkt(FOM)

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

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