Infineon IPZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 40 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
243-9345
Herst. Teile-Nr.:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPZ

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen, N-Kanal-Enhancement Mode-Logic Level und 100 % Avalanche-getestet.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

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