Infineon IRFH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 243-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Hersteller:
- Infineon
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| 125 - 245 | € 0,832 | € 4,16 |
| 250 - 495 | € 0,782 | € 3,91 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRL60HS118 von Infineon ist in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich. Die neuen Logikpegel-Leistungs-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und formfaktorkritische Anwendungen. Es ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten Wirkungsgrad sowie eine erhebliche Platzersparnis.
Designs mit höherer Leistungsdichte,
höhere Schaltfrequenz,
verwendet OptiMOSTM5 Chip,
reduzierte Teilenzahl, wo immer 5-V-Netzteile verfügbar sind,
direkt von Mikrocontrollern angetrieben (langsam schalten),
Systemkostenreduzierung