Infineon IRFH N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 243-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Hersteller:
- Infineon
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- IRL60HS118
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IRFH | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IRFH-Serie von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 40 V maximale Drain-Source-Spannung – IRL60HS118
Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungsschalter, der für Hochstrom-Hochgeschwindigkeitsschaltungen in der Automobil- und Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Wärmebehandlung und geringe Leitungsverluste erfordern und gleichzeitig die elektrischen Anforderungen der Fahrzeugklasse erfüllen.
Merkmale und Vorteile:
• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb mit hohem Strom
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Toleranz für robuste Gate-Treiberpegel
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb mit hohem Strom
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Toleranz für robuste Gate-Treiberpegel
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Motorsteuerungsstufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Motorsteuerungsstufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten
Welchen Gehäusetyp wird für die Montage verwendet?
Er wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Kanalpolarität sollte für die Designintegration erwartet werden?
Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungskanal, der für Low-Side- und synchrone Topologien geeignet ist.
Welcher Zuverlässigkeitsstandard gilt für den Einsatz im Automobilbereich?
Er erfüllt die AEC-Q101-Qualitätskriterien für Halbleiterkomponenten in der Automobilindustrie.
Entspricht es den Umweltgefahrenbeschränkungen?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für Beschränkungen gefährlicher Stoffe.