Nexperia PSMN4R2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V / 42 A 46 W, 8-Pin LFPAK56D

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RS Best.-Nr.:
243-4875
Herst. Teile-Nr.:
PSMN4R2-40VSHX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK56D

Serie

PSMN4R2

Pinanzahl

8

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET der Standardstufe Nexperia Dual in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) mit Next power S3-Technologie. Zwischen der Quelle (S1) des High-Side-FET und dem Drain (D2) des Low-Side-FET wird eine interne Verbindung hergestellt, womit das Gerät ideal für den Einsatz als Halbbrückenschalter in Hochleistungs-PWM-Anwendungen und Motorantriebsanwendungen mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.

Reduzierte Komplexität des PCB-Layouts

Modulschrumpfung durch reduzierte Komponentenanzahl

Niedrigere parasitäre Induktivität zur Unterstützung einer höheren Effizienz

Geringe Verlustleistung, hohe Leistungsdichte

Überlegene Lawinenleistung

Repetitive Lawinenauslegung

Die LFPAK-Kupferklemmenverpackung bietet eine hohe Robustheit und Zuverlässigkeit

Handgeführte Elektrowerkzeuge, tragbare Geräte und Anwendungen mit begrenztem Platzangebot

Bürstenloser oder Bürsten-DC-Motorantrieb

DC-zu-DC-Systeme

LED-Beleuchtung

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