Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 18.2 A 32 W, 8-Pin LFPAK56D
- RS Best.-Nr.:
- 240-1819
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9K25-40RAX
- Hersteller:
- Nexperia
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56D | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK56D | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia-N-Kanal-MOSFET mit zwei Logikpegel-Transistor in einem LFPAK56D-Gehäuse, mit anwendungsspezifischer (ASFET) wiederholter Lawinensilizium-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in sich wiederholenden Lawinenanwendungen entwickelt und zugelassen.
Vollständig für die Automobilindustrie zugelassen gemäß AEC-Q101 bei 175 °C.
Wiederholte Avalanche bis 30 °C Tj.-Anstieg
Geprüft bis 1 Bn Lawinenereignisse
LFPAK-Kupferclip-Gehäusetechnologie
Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit
Gullwing-Anschlussleitungen für hohe Herstellbarkeit und AOI
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