Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
242-0981
Herst. Teile-Nr.:
IPA029N06NXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem TO-220-3-Gehäuse. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 84 A und die Ablassquellenspannung beträgt 60 V. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C. Er bietet industrielle Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und schnellen DC/DC-Wandler.

Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie

38 W Verlustleistung

Höchste Systemwirksamkeit

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Systemkostenreduzierung

Sehr niedrige Überspannungsspannung

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