Infineon BSG0810NDI Typ N-Kanal 2 MOSFET 25 V / 50 A 6.25 W, 8-Pin TISON-8

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RS Best.-Nr.:
242-0300
Herst. Teile-Nr.:
BSG0810NDIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

TISON-8

Serie

BSG0810NDI

Pinanzahl

8

Maximale Verlustleistung Pd

6.25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Power Block von Infineon ist ein dualer asymmetrischer N-Kanal OptiMOS 5 MOSFET. Es ist eine monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode.

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Bleifreie Kabelbeschichtung und RoHS-konform

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