Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9668
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC018NE2LSIATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 25 V Ablassquellenspannung (VDS) und 153 A Ablassstrom (ID). Seine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in Gehäusen mit geringer Abmessung machen ihn zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen an Spannungsreglerlösungen in Server-, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. Er spart Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Phasenzahl in mehrphasigen Wandlern und Reduzierung von Leistungsverlusten und Erhöhung der Effizienz bei allen Lastbedingungen.
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler,
monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode,
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) @ VGS = 4,5 V,
100 % Avalanche geprüft,
N-Kanal,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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