ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
241-2320
Herst. Teile-Nr.:
RQ7G080BGTCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSMT-8

Serie

RQ7G080BG

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.

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