Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 39 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon OptiMOSTM 5 Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET 60 V, 1,05 mΩ, 330 A in einem SSO8-Gehäuse. Der 60-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 5 von Infineon in SuperSO8-Gehäuse ISC010N06NM5 bietet einen niedrigen RDS-Widerstand im eingeschalteten Zustand bei 25 ̊C und 175 ̊C sowie einen hohen Dauerstrom von bis zu 330 A. Die OptiMOSTM-MOSFETs in SuperSO8-Gehäuse von Infineon erweitern das Produktportfolio OptiMOSTM 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte neben verbesserter Robustheit und erfüllen den Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung. Niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung Qrr verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Reduzierung des Spannungsüberstands, was den Bedarf an Dämpfungsstromkreisen minimiert, das wiederum zu weniger technischen Kosten und Aufwand führt.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung
100 % Avalanchegeprüft
Überlegener Wärmewiderstand
N-Kanal
175 °C verpackt
Pb-freie Bleibeschichtung