Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 235-4863
Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	230A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.24mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	91nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	245W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.1mm
	Breite	1.1 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 245W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.1mm
	Breite 1.1 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET 100 V Normalpegel in SuperSO8-Gehäuse

Der ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 mit 100 V im Normalbereich setzt den neuen Technologiestandard auf dem Gebiet der diskreten Leistungs-MOSFETs. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Der industrielle 100-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikation und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.

Im SuperSO8-Gehäuse erreicht er ∼20 % Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand (RDS(on)) und 30 % bessere Werte (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) im Vergleich zur vorherigen Technologie OptiMOSTM 5. Dadurch können Entwickler den Wirkungsgrad erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbetrieb ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Zusammenfassung der Merkmale

Im Vergleich zu OptiMOSTM 5 erreicht die neue Technologie:

•∼20 % niedrigerer RDS(ein)

•30 % verbesserter FOMg und 40 % besserer FOMgd

•Geringere und weichere umgekehrte Erholungsladung (Qrr)

•Ideal für hohe Schaltfrequenzen

•MSL 1 gemäß J-STD-020

•Anschlusstemperatur: 175 °C

•Hohe Lawinenenergie

•Bleifreie Leitungsbeschichtung

•CE-Kennzeichnung

Vorteile

•Geringe Leitungsverluste

•Niedrige Schaltverluste

•Schnelles Ein- und Ausschalten

•Weniger Parallelschaltung erforderlich

•Robuste, zuverlässige Leistung

•Umweltfreundlich