Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E
- RS Best.-Nr.:
- 240-1973
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-50YLHX
- Hersteller:
- Nexperia
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- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R5-50YLHX
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK56E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia MOSFET befindet sich im LFPAK56E-Gehäuse mit 200 A Dauerstrom, Logikebenensteuerung und N-Kanal-Anreichermodus. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine hohe Lawinenfähigkeit erfordern, Linearmodus pro
LFPAK56E spannungsarmes freiliegendes Kabelgestell für höchste Zuverlässigkeit, optimales Löten und einfache Lötverbindungsinspektion
Kupferklemme und Löteinsatz für niedrige Gehäuseinduktivität und Widerstand und hohe ID (max.)-Nennwerte
Zugelassen bis 175 °C
Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft
Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen
Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI