Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK56E
- RS Best.-Nr.:
- 243-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R5-80YSFX
- Hersteller:
- Nexperia
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|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,56 | € 17,80 |
| 50 - 95 | € 3,212 | € 16,06 |
| 100 - 245 | € 2,57 | € 12,85 |
| 250 - 495 | € 2,524 | € 12,62 |
| 500 + | € 2,124 | € 10,62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R5-80YSFX
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | LFPAK56E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße LFPAK56E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia im LFPAK56E-Gehäuse ist ein Standard-Level-Gate-Antrieb, der für 175 °C zugelassen ist und für industrielle und Verbraucheranwendungen empfohlen wird.
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