STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 480 W, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 12,37

(ohne MwSt.)

€ 14,84

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 190 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 12,37
5 - 9€ 11,75
10 - 24€ 10,58
25 - 49€ 9,53
50 +€ 9,05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
240-0616
Herst. Teile-Nr.:
STWA75N65DM6
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

STW

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

480W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

UL

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

Schnelle Gehäusediode

Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu vorheriger Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zener-geschützt

Verwandte Links