STMicroelectronics STW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0613
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 132,15
(ohne MwSt.)
€ 158,58
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,405 | € 132,15 |
| 150 + | € 4,252 | € 127,56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-0613
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40.92mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Breite | 15.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40.92mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Breite 15.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Wiederherstellung
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst dv/dt-unempfindlich
Zener-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Typ N-Kanal 4-Pin TO-247-4
- STMicroelectronics STH Typ N-Kanal 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- ROHM Typ N-Kanal 4-Pin TO-247