Infineon SIPMOS® Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 201,00

(ohne MwSt.)

€ 240,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,067€ 201,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
236-4397
Herst. Teile-Nr.:
BSS126IXTSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

0.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Höhe

1.1mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET vom Verarmungstyp von Infineon ist bleifrei, RoHS-konform und gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen. Es hat das branchenübliche Qualifikationsniveau.

Hohe Systemzuverlässigkeit

Umweltfreundlich

Platz- und Kosteneinsparung auf der Leiterplatte

dv/dt bewertet

Verwandte Links