Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 106 A 446 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 236-3681
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 14,77
(ohne MwSt.)
€ 17,72
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 8 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 03. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | € 14,77 |
| 5 - 9 | € 14,03 |
| 10 - 24 | € 13,44 |
| 25 - 49 | € 12,85 |
| 50 + | € 11,96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-3681
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 106A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 234nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 106A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 234nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 106 A.
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 4-Pin IPZA65R018CFD7XKSA1 TO-247-4
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R155CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R125CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R110CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R090CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPP65R155CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPP65R190CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPP65R090CFD7XKSA1 TO-220