Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 12 A 63 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
236-3667
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190CFD7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 12 A.

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung

Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung

Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte

Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt

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