Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 236-3643
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 433A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 433A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOSTM Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 433 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC005N03LS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die geringe Leitungsverluste und eine hohe kontinuierliche Ableitstromkapazität erfordern, während er in einem TDSON-Gehäuse montiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• 433 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht das Schalten von starken Strömen
• Niedrige Rds(on) von 5,5 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 188 W unterstützt die Handhabung hoher Leistung
• 59 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Energieplanung
• Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V sorgt für eine große Antriebsspanne
• Niedrige Rds(on) von 5,5 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Nennleistung von 30 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 188 W unterstützt die Handhabung hoher Leistung
• 59 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Energieplanung
• Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V sorgt für eine große Antriebsspanne
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Regler
• Ideal für Server-Stromversorgungsschienen und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
• Ideal für Server-Stromversorgungsschienen und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
Welche Verpackungsaspekte wirken sich auf das Wärmemanagement aus?
Das TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche und erfordert eine geeignete Leiterplatten-Kupferfläche oder Wärmeleitungen, um seine 188-W-Nennleistung innerhalb der thermischen Einschränkungen auf Board-Ebene effektiv zu verteilen.
Wie verhält sich das Gerät bei rauen Umgebungstemperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, was den Einsatz über einen breiten Temperaturbereich ohne Herabsetzung für viele Hochtemperaturumgebungen ermöglicht.
Welche Anforderungen an Gate-Antriebe sollten beachtet werden?
Antriebsschaltkreise müssen die Gate-Spannung innerhalb von ±20 V halten und die Gesamt-Gate-Ladung von 59 nC bei der Abmessung des Treiber-Spitzenstroms und der Schaltzeit berücksichtigen.
Wie sollten Konstrukteure Leitungs- und Schaltverluste planen?
Verwenden Sie die Rds(on) von 5,5 mΩ, um die Leitungsverluste von I^2R zu schätzen, und berücksichtigen Sie bei der Berechnung der Gesamttemperatur- und Effizienzbudgets die Energie für die Aufladung des 59-nC-Gates.