Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
236-3572
Herst. Teile-Nr.:
SSM3J356R,LF(T
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

-20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.4mm

Höhe

0.8mm

Breite

2.9 mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat P-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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