Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
144-5260
Herst. Teile-Nr.:
SSM3J334R,LF(T
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

136mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Breite

1.8 mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-P-Kanal, SSM3J-Serie, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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