Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 454 A 278 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
236-1585
Herst. Teile-Nr.:
IPT008N06NM5LFATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

454A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.8mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

185nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Höhe

2.4mm

Breite

10.58 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Linear-FET, 60-V-MOSFET. Dieses Produkt ist gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen vollständig zugelassen.

Ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Großer sicherer Betriebsbereich SOA

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Bleifreie Beschichtung, halogenfrei

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