Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 143 A 81 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 249-3354
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT054N15N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 143A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 143A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon Optimos 5 Power-Mosfet ist ein N-Kanal-Mosfet mit sehr niedrigem On-Widerstand und hervorragender thermischer Beständigkeit. Dieses Teil ist Pb (Blei) und halogenfrei. Es wird in einem oberflächenmontierbaren PG-HSOF-8-Gehäuse geliefert.
Vds (Drain-Source-Spannung) ist 150 V
Rds (max. Einschaltstrom) ist 5,4 Milliohm und Id ist 143 A
Qdss und Qg Werte sind 155 nC bzw. 55 nC