Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 143 A 81 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
249-3354
Herst. Teile-Nr.:
IPT054N15N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

143A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

IPT

Gehäusegröße

HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon Optimos 5 Power-Mosfet ist ein N-Kanal-Mosfet mit sehr niedrigem On-Widerstand und hervorragender thermischer Beständigkeit. Dieses Teil ist Pb (Blei) und halogenfrei. Es wird in einem oberflächenmontierbaren PG-HSOF-8-Gehäuse geliefert.

Vds (Drain-Source-Spannung) ist 150 V

Rds (max. Einschaltstrom) ist 5,4 Milliohm und Id ist 143 A

Qdss und Qg Werte sind 155 nC bzw. 55 nC

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