STMicroelectronics STL1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 120 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 230-0097
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N8F7AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | STL1 | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.4mm | |
| Breite | 5.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie STL1 | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.4mm | ||
Breite 5.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der STMicroelectronics STL125N8F7AG ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench Gate-Struktur, die einen sehr niedrigen Betriebswiderstand ermöglicht, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
Hohe Lawinenbeständigkeit
Benetzbares Flankengehäuse
AEC-Q101-qualifiziert
Ausgezeichneter Schaumstoff
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