onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 162 A 107 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6508
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS4C02NWFTAG
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 13,34
(ohne MwSt.)
€ 16,01
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 1 495 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,668 | € 13,34 |
| 50 - 95 | € 2,302 | € 11,51 |
| 100 + | € 1,994 | € 9,97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6508
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS4C02NWFTAG
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.25mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.25mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.
Kompaktes Design
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Inspektion