onsemi NVTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 28.3 A 107 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6760
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS4C02NTAG
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NVTFS | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.15mm | |
| Höhe | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NVTFS | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.15mm | ||
Höhe 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 3 x 3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Die benetzbare Flankenoption ist für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich. Es verwendete AEC-Q101-qualifizierten MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
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