onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 241.3 A 237.5 W, 8-Pin H-PSOF

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229-6503
Herst. Teile-Nr.:
NVBLS1D7N08H
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

241.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

H-PSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Maximale Verlustleistung Pd

237.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.2mm

Höhe

13.28mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET für die Automobilindustrie in einem TOLL-Gehäuse für effiziente Designs mit hoher Wärmeleistung. Er hat einen Abflussstrom von 241,3 A.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

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