onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 41.9 A 80.6 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
229-6468
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS022N15MC
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

NTMFS

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

80.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Höhe

5.3mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.3mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

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