onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 203 A 167 W, 8-Pin M0-299A

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 9,61

(ohne MwSt.)

€ 11,532

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 4,805€ 9,61
20 - 198€ 4,14€ 8,28
200 +€ 3,595€ 7,19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6448
Herst. Teile-Nr.:
NTBLS1D7N08H
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

203A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

M0-299A

Serie

NBTLS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.4 mm

Höhe

9.9mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

11.78mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung. Er hat 203 A Drain-Strom. Er wird in Elektrowerkzeugen, Batterie betriebenen Staubsaugern, UAV/Drohnen, Materialhandhabung, BMS/Lagerung und Heimautomatisierung eingesetzt.

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

Verwandte Links