Infineon Zweifach N IPG N-Kanal 2, SMD Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.595,00

(ohne MwSt.)

€ 1.915,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,319€ 1.595,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
229-1842
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N04S412AATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPG

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.19mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Zweifach N

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Zweikanal-MOSFET mit Normalpegel von Infineon hat die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung. Es handelt sich um zwei n-Kanal in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.