Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 47 A 500 W, 3-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 228-2976
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW44N65EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- 228-2976
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- SQW44N65EF-GE3
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 177nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 177nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 700 V Drain-Source-Spannung, 47 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQW44N65EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. Es handelt sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das in einem TO-247AD-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert wird und für die Stromumwandlung, Motorantriebe und industrielle Schaltumgebungen geeignet ist, in denen kompakte, montierbare Komponenten benötigt werden.
Merkmale und Vorteile:
• 700-V-Ablasswert ermöglicht Hochspannungs-Systemkonstruktionen
• 47 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 73 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 177 nC reduziert Schaltverluste
• 500 W maximale Verlustleistung für erhöhte thermische Belastungen
• Der Betriebsbereich von -55 bis 175 °C hält einem breiten Temperaturbereich stand
• 47 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 73 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 177 nC reduziert Schaltverluste
• 500 W maximale Verlustleistung für erhöhte thermische Belastungen
• Der Betriebsbereich von -55 bis 175 °C hält einem breiten Temperaturbereich stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Ideal für Traktions- oder industrielle Motorantriebsstufen
• Wird für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien verwendet
• Kann für Wandler-Elektronik für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Kfz-Elektronikmodule, die AEC‐Q101 erfordern
• Ideal für Traktions- oder industrielle Motorantriebsstufen
• Wird für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien verwendet
• Kann für Wandler-Elektronik für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Kfz-Elektronikmodule, die AEC‐Q101 erfordern
Welche Montageaspekte gelten für diese Komponente?
Das Gerät verfügt über eine Durchsteckmontage in einem TO-247AD-Gehäuse, die eine direkte Kühlung mit einer geeigneten isolierten oder blanken Lasche und eine herkömmliche Schraubmontage für das Wärmemanagement ermöglicht.
Wie wirkt sich die Gate-Handhabung auf die Schaltleistung aus?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 177 nC muss die Auswahl der Gate-Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern, um den erforderlichen dv/dt zu erreichen und Übergangsverluste zu minimieren.
Welchen thermischen Belastungen kann er während des Betriebs standhalten?
Der Transistor ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C ausgelegt, sodass das Leiterplatten-Layout und die Kühlung so konzipiert sein müssen, dass die Sperrschichttemperatur unter der Nennableitung innerhalb dieses Bereichs bleibt.
Gibt es für den Einsatz im Automobilbereich Erwägungen?
Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation und eignet sich daher für elektronische Kfz-Systeme, bei denen die spezifizierte Qualifikation erforderlich ist.