Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 34 A 375 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
228-2975
Herst. Teile-Nr.:
SQW33N65EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

109mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

115nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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