Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 71.4 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 11,16

(ohne MwSt.)

€ 13,39

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5 560 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 1,116€ 11,16
100 - 240€ 1,05€ 10,50
250 - 490€ 0,949€ 9,49
500 - 990€ 0,893€ 8,93
1000 +€ 0,838€ 8,38

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2914
Herst. Teile-Nr.:
SiR880BDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

71.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 80-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links